本文目录一览

1，两条内存不兼容进不了系统bios里trfc一行里不一样其它好像都一

先看看是不是同频率的内存条，或者是不同厂家的也会造成不兼容

两条内存不兼容进不了系统bios里trfc一行里不一样其它好像都一

2，前列腺炎 治疗方法trfc

22卫生习惯上经常生活在潮湿阴冷环境中，不活动长期坐位都可引起前列腺充血，引发无菌性前列腺炎。　　必静必清，无劳汝形，无摇汝精，乃可以长生。fn【前r列e舒v安g草d药k组*合】

前列腺炎 治疗方法trfc

3，内存tRFC设置多少合适频率为1333时序88822

用CPU-Z看你的行周期时间TRC是多少，然后乘以你按了几条内存。2条就是44,4条就是88。TRFC是总寻址时间，如果过低会造成内存寻址时间不足，影响内存性能，祝你好运。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

内存tRFC设置多少合适频率为1333时序88822

4，我的电脑开机出现SPD is missing Trc or Trfc info press DEL to resume

找张系统盘，重新做个系统，如果坐不上的话，你可以把硬盘利用系统盘里的DM重新分一下区，可能是系统文件丢失了，导致出现上面的一些问题，你也可以先用PM分区，如果不可以的话，再用DM分，就可以解决了！
还说你的组装的电脑没毛病呢？ 这不是 ？？？？？
你把cmos清0下试试

5，CPUZ检测内存出现的 tRFC 是什么意思

tRFC的周期52个周期,这个正常，DDRIII的tRFC最高达120cpu-z检测5-5-5-18是内存spd里的信息设置可以进到bios里，选memory setup
用CPU-Z看你的行周期时间TRC是多少，然后乘以你按了几条内存。2条就是trc*2,4条就是trc*4。TRFC是总寻址时间，如果过低会造成内存寻址时间不足，影响内存性能，祝你好运。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

6，内存单元为什么只能保存最后一次的值

内存不是用来存储的，是用来计算的。就相当于算盘珠代表的数字，在运算过程中只代表当前，停下来就代表最后一个数字。
才需要将此参数调长。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，3：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有;Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表.5，00，01，14，15：tRCD、RAS to CAS Delay。 该参数对内存性能的影响最大。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为，3、写或刷新操作时。 Command Per Clock(CPC。这个参数要根据实际情况而定，2。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3：Auto，Enable(1T)，1.5，5，6，系统将处于最稳定的状态，2，04，05，0，4、CAS Timing Delay).5。该值为4时：Automatic Configuration、DRAM Auto。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL，应该试着提高CAS延迟、CL、CAS Latency Time。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”

文章TAG：内存  兼容  不了  系统  trfc  
下一篇